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1N5822USE3、JANTX1N5822US、JAN1N5822US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5822USE3 JANTX1N5822US JAN1N5822US

描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D5B, 2Pin1N5822 系列 40 V 3 A 表面贴装 军用 肖特基 势垒 整流器 - D-5BDiode Schottky 40V 3A 2Pin E-MELF

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 - B-SQ-MELF-2 B-SQ-MELF-2

正向电压 - 0.5 V 0.7 V

正向电流 - 3000 mA 3000 mA

正向电流(Max) - 3000 mA 3000 mA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

封装 - B-SQ-MELF-2 B-SQ-MELF-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

军工级 - Yes -

ECCN代码 - EAR99 -