SI4322DY-T1-E3、SI4636DY-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI4322DY-T1-E3 SI4636DY-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOICMosfet n-Ch 30V 17A 8-Soic

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

耗散功率 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) 2.5W (Ta), 4.4W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1640pF @15V(Vds) 2635pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) 2.5W (Ta), 4.4W (Tc)

长度 - 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm

高度 - 1.75 mm

封装 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free