IXFN200N10P、IXFN230N10、IXFN150N10对比区别

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型号 IXFN200N10P IXFN230N10 IXFN150N10

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN230N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Chassis Chassis

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 150 A

耗散功率 680 W 700 W 520 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 35 ns 150 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 7600pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 680 W 700 W 520 W

下降时间 90 ns 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 680W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 0.0075 Ω 0.006 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 5 V 4 V -

连续漏极电流(Ids) 200 A 230 A -

反向恢复时间 150 ns - -

通道数 - 1 -

长度 - - 38.23 mm

宽度 - 25.42 mm 25.42 mm

高度 - - 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -