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BFU610F,115、BFG410W,115、BFG403W,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFU610F,115 BFG410W,115 BFG403W,115

描述 BFU610 系列 5.5 V 26 dB 增益 NPN 宽带 硅 射频 晶体管 - SOT-343F-4NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNXP  BFG403W,115  射频宽带晶体管, NPN, 4.5V, 17GHZ, 4-SOT-343R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

频率 15000 MHz 22000 MHz 17000 MHz

针脚数 4 4 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 136 mW 54 mW 16 mW

击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V 4.5 V 4.5 V

增益 13.5dB ~ 23.5dB 21 dB 20dB ~ 22dB

最小电流放大倍数(hFE) 90 @1mA, 2V 50 @10mA, 2V 50 @3mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 50 50

额定功率(Max) 136 mW 54 mW 16 mW

直流电流增益(hFE) 90 80 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 136 mW 54 mW 16 mW

输入电容 0.227 pF - -

长度 - 2.2 mm 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.35 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99