STF4N62K3、STH180N10F3-2、STF16NK60Z对比区别

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型号 STF4N62K3 STH180N10F3-2 STF16NK60Z

描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600 V ， 038 Ω ， 14 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 600 V, 038 Ω, 14 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 4 -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

漏源极电阻 1.7 Ω 0.0039 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 25 W 315 W 40W (Tc)

阈值电压 3.75 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 620 V 100 V 600 V

上升时间 9 ns 97.1 ns -

输入电容(Ciss) 550pF @50V(Vds) 6665pF @25V(Vds) 2650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 25 W 315 W 40 W

下降时间 19 ns 6.9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 25W (Tc) 315W (Tc) 40W (Tc)

针脚数 - 4 -

输入电容 - 6665 pF -

长度 10.4 mm 15.8 mm -

宽度 4.6 mm 10.4 mm -

高度 16.4 mm 4.8 mm -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -