7200L15TPI、IDT7200L15SOGI、7200L15SOGI对比区别

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型号 7200L15TPI IDT7200L15SOGI 7200L15SOGI

描述 IC MEM FIFO 256X9 15NS 28DIPFIFO（先进先出）存储器，IDT### FIFO（先进先出）存储器先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL FIF

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 SOIC SOIC-28

电路数 - - 1

存取时间 15 ns - 15 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

长度 34.3 mm 17.9 mm 17.9 mm

宽度 7.62 mm 8.4 mm 8.4 mm

高度 3.3 mm 2.62 mm 2.62 mm

封装 DIP-28 SOIC SOIC-28

厚度 3.30 mm - 2.62 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -