STF5N62K3、TK4A60D对比区别

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型号 STF5N62K3 TK4A60D

描述 STMICROELECTRONICS  STF5N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 VMOS管

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 -

漏源极电阻 1.28 Ω 1.4 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 35 W

阈值电压 3.75 V 2.4 V

漏源极电压(Vds) 620 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.2A -

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 680pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 25 W -

下降时间 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 25W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15