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UNR9210J、UNR921FJ、DTC143XETR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UNR9210J UNR921FJ DTC143XETR

描述 NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar typeNPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planer typeSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Panasonic (松下) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类

基础参数对比

封装 SSMini3-F1 SSMini3-F1 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

封装 SSMini3-F1 SSMini3-F1 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant