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IRG4IBC30W、IRG4IBC30WPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4IBC30W IRG4IBC30WPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 3Pin (3+Tab) TO-220 Full-PakTO-220AB 整包

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定功率 45 W 45 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 45 W 45 W

耗散功率 - 45000 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 45 W

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.63 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 16.12 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99