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AD648KR、AD648KRZ-REEL、AD648KRZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD648KR AD648KRZ-REEL AD648KRZ

描述 双路精密,低功耗BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp运算放大器 - 运放 LOW POWER DUAL ICAnalog Devices### 运算放大器,Analog Devices

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

供电电流 - 340 µA 340 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 500 mW 500 mW

共模抑制比 - 76.0 dB 76 dB

输入电容 - 3.00 pF 3.00 pF

转换速率 1.80 V/μs 1.80 V/μs 1.80 V/μs

增益频宽积 - 1 MHz 1 MHz

输入阻抗 - 3.00 TΩ 3.00 TΩ

输入补偿电压 - 300 µV 300 µV

输入偏置电流 - 3 pA 3 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

针脚数 - - 8

带宽 - - 1 MHz

增益带宽 - - 1 MHz

耗散功率(Max) - - 500 mW

共模抑制比(Min) - - 76 dB

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete End of Life Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

军工级 - No No

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20