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BB640E6327、BB659C、BB156,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BB640E6327 BB659C BB156,115

描述 Diode VAR Cap Single 30V 62pF 2Pin SOD-323 T/RBB659C 变容二极管 30V 30.2pF 11.1 SOD-523/SCD80/0603 marking/标记 HH 超高频调谐/高电容率NXP Semiconductors可变电容二极管,通常称为变容、变容管或调谐二极管,在许多需要电容随电压变化改变的许多应用中非常有用。 它们适用于广泛应用,包括:射频调谐、电压控制振荡器和滤波器、频率合成器和乘法器。 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 变容二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 2 - 2

封装 SOD-323-2 SCD-80 SOD-323

额定电压(DC) 30.0 V - -

电容 76.0 pF - 14.4 pF

电阻 1.15 Ω - -

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

宽度 1.25 mm - 1.35 mm

封装 SOD-323-2 SCD-80 SOD-323

长度 - - 1.8 mm

高度 - - 1.05 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃ (TJ)