CY7C1314KV18-250BZC、CY7C1314KV18-250BZXC、CY7C1314KV18-250BZCT对比区别

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型号 CY7C1314KV18-250BZC CY7C1314KV18-250BZXC CY7C1314KV18-250BZCT

描述 18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V 512Kx36 QDR II 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 - 670 mA -

时钟频率 - 250 MHz -

位数 36 36 36

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -