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IRFR6215TRLPBF、IRFR6215TRPBF、IRFR6215TRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRPBF IRFR6215TRRPBF

描述 单 P沟道 150 V 110 W 66 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - DPAKINFINEON  IRFR6215TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -150 V, 295 mohm, -10 V, -4 VDPAK P-CH 150V 13A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.295 Ω 0.295 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 110 W 110 W 110 W

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 860 pF -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 13A 13A 13A

上升时间 36 ns 36 ns 36 ns

输入电容(Ciss) 860pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W 110 W

下降时间 37 ns 37 ns 37 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -