IPB60R099CPATMA1、SIHB30N60E-GE3、STB34NM60ND对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPB60R099CPATMA1 SIHB30N60E-GE3 STB34NM60ND

描述 INFINEON  IPB60R099CPATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorSTMICROELECTRONICS  STB34NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.09 Ω 0.104 Ω 0.097 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 255 W 250 W 190 W

阈值电压 3 V 2 V 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 31.0 A - 29A

上升时间 5 ns - 53.4 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 2600pF @10V(Vds) 2785pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - - 190 W

下降时间 5 ns - 61.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 255 W 250 W 190W (Tc)

额定电压(DC) 25.0 V - -

额定电流 50.0 A - -

额定功率 255 W - -

输入电容 2.80 nF - -

栅电荷 80.0 nC - -

长度 10.31 mm 10.67 mm 10.75 mm

宽度 9.45 mm 9.65 mm 10.4 mm

高度 4.57 mm 4.83 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99