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BZA100、BZA100,118、BZA100T/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZA100 BZA100,118 BZA100T/R

描述 18倍的ESD瞬态电压抑制器 18-fold ESD transient voltage suppressorDiode TVS Array 18 Uni-Dir 7.2V 27.5W 20Pin SO T/RTrans Voltage Suppressor Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 主动器件TVS二极管

基础参数对比

引脚数 20 20 -

封装 SOT-163 SOIC-20 -

安装方式 - Surface Mount -

耗散功率 1.6 W 1.25 W -

钳位电压 11 V 11 V -

工作电压 - 7.2 V -

电容 - 120 pF -

脉冲峰值功率 - 27.5 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1600 mW -

封装 SOT-163 SOIC-20 -

高度 - 2.45 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - Lead Free -