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DTA123JU3HZGT106、DTA123JUAFRAT106、DTA123JUBHZGTL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123JU3HZGT106 DTA123JUAFRAT106 DTA123JUBHZGTL

描述 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.05 电阻比率ROHM  DTA123JUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-323 新晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.0468 电阻比率

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-323 SC-85

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V - 80 @10mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

极性 - PNP PNP

集电极最大允许电流 - 100mA 100mA

封装 SOT-323 SOT-323 SC-85

产品生命周期 Active - Not For New Designs

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - 无铅