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DTC114YSATP、RN1208、DTC114YSA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC114YSATP RN1208 DTC114YSA

描述 SPT NPN 50V 100mAMini NPN 50V 100mA数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SPT Mini SPT

安装方式 Through Hole - Through Hole

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 70.0 mA - -

封装 SPT Mini SPT

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Box - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -