IS42S32200C1-7TL、MT48LC2M32B2P-7:G、IS42S32200E-7TL对比区别

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型号 IS42S32200C1-7TL MT48LC2M32B2P-7:G IS42S32200E-7TL

描述 IC SDRAM 64Mbit 143MHz 86TSOP2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5ns, 86Pin Plastic SMT动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

供电电流 180 mA - 140 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.45 V (max) - -

时钟频率 143MHz (max) - -

位数 32 32 -

存取时间 7.00 ns - -

内存容量 64000000 B - -

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns - -

长度 - - 22.42 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 1.05 mm

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Not Recommended for New Design

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅