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IRFF220、JAN2N6790、2N6790对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFF220 JAN2N6790 2N6790

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3Pin TO-39N-CH 200V 3.5ATrans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 3 - -

封装 TO-205 TO-205-3 -

安装方式 - Through Hole -

输入电容(Ciss) 260pF @25V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 20000 mW 800mW (Tc) -

通道数 - 1 -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 0.8 W -

漏源极电压(Vds) - 200 V -

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) - 3.5A -

封装 TO-205 TO-205-3 -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -