IRF7832PBF、IRF7862TRPBF、IRF7832TRPBF对比区别

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型号 IRF7832PBF IRF7862TRPBF IRF7832TRPBF

描述 INFINEON  IRF7832PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 VN 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8INFINEON  IRF7832TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.004 Ω 4.5 mΩ 0.0031 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 2.32 V 2.35 V 2.32 V

输入电容 4310 pF 4090 pF 4310 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 21A 20A

上升时间 6.7 ns 19 ns 6.7 ns

输入电容(Ciss) 4310pF @15V(Vds) 4090pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 13 ns 11 ns 13 ns

工作温度(Max) 155 ℃ 150 ℃ 155 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

正向电压(Max) - - 1 V

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17