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SI4565ADY-T1-E3、SI4599DY-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4565ADY-T1-E3 SI4599DY-T1-GE3

描述 MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOICMOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 625pF @20V(Vds) 640pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W -

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free