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MT29F4G08ABADAH4-IT:D、MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F4G08ABADAH4-IT:D MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR

描述 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8Bit 25ns 63Pin VFBGA TraySLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8Bit 63Pin VFBGA T/R

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 63

封装 VFBGA-63 BGA-63

工作电压 3.30 V -

供电电流 35 mA 35 mA

位数 8 8

内存容量 500000000 B -

存取时间(Max) 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 VFBGA-63 BGA-63

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR -