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IRFR1205、IRFR1205PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR1205 IRFR1205PBF

描述 DPAK N-CH 55V 44AINFINEON  IRFR1205PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 55.0 V -

额定电流 37.0 A -

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 107W (Tc) 69 W

产品系列 IRFR1205 -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V -

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 44A

上升时间 69.0 ns 69 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 107W (Tc) 107W (Tc)

额定功率 - 69 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.027 Ω

阈值电压 - 4 V

额定功率(Max) - 107 W

下降时间 - 60 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17