JAN2N2904A、JAN2N2904AL、2N2904A对比区别

高亮显示差异参数

型号 JAN2N2904A JAN2N2904AL 2N2904A

描述 PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR2N2904A Series 60V 600mA 800mW Through Hole PNP Silicon Transistor - TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-39 TO-5 TO-39-3

极性 PNP PNP -

耗散功率 0.6 W - 600 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 40 @10mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW - 600 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - 65 ℃

耗散功率(Max) 600 mW - 600 mW

增益频宽积 - - 200 MHz

封装 TO-39 TO-5 TO-39-3

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free