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CBR1-D060S、S1ZB60、DB105S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CBR1-D060S S1ZB60 DB105S

描述 600V 1AS1ZB60 整流桥 600V 800mA/0.8A 1.05V 1Z 标记Z6Bridge Rectifier Diode, 1A, 600V V(RRM),

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Shindengen (新电元) Yangzhou Yangjie Electronic

分类

基础参数对比

封装 DIP DIP -

最大反向电压(Vrrm) 600V 600V -

正向电流 1 A 0.8 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 DIP DIP -

长度 - 4.7 mm -

宽度 - 3.8 mm -

高度 - 2.5 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

香港进出口证 - NLR -