APT5010LVR、APT5010LVRG、APT5010LVFR对比区别

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型号 APT5010LVR APT5010LVRG APT5010LVFR

描述 功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264 N-CH 500V 47A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-264 TO-247-3 TO-264

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 47.0 A -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 520 W -

输入电容 - 8.90 nF -

栅电荷 - 470 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 47A 47.0 A 47A

上升时间 16 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 7400pF @25V(Vds) 7400pF @25V(Vds) -

下降时间 5 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 520000 mW 520000 mW -

封装 TO-264 TO-247-3 TO-264

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -