FDC5614P、ZXMP6A17E6TA、FDC5614P_D87Z对比区别

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型号 FDC5614P ZXMP6A17E6TA FDC5614P_D87Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC5614P.  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 105 mohm, -10 V, -1.6 V-60V,-3A,P沟道MOSFETMOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

引脚数 6 6 -

通道数 - 1 1

漏源极电阻 0.082 Ω 0.125 Ω 105 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.6 W 1.1 W 1.6 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 -60.0 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3A

上升时间 10 ns 3.4 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 759pF @30V(Vds) 637pF @30V(Vds) 759pF @30V(Vds)

下降时间 12 ns 11.3 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.1W (Ta) 1.6W (Ta)

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -3.00 A -3.00 A -

额定功率 1.6 W - -

针脚数 6 6 -

输入电容 759 pF - -

栅电荷 15.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定功率(Max) 800 mW 1.1 W -

长度 3 mm 3.1 mm 2.9 mm

宽度 1.7 mm 1.8 mm 1.6 mm

高度 1 mm 1.3 mm 1.1 mm

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -