IS42S32200C1-6TL、IS42S32200E-7TL、MT48LC2M32B2P-7:G对比区别

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型号 IS42S32200C1-6TL IS42S32200E-7TL MT48LC2M32B2P-7:G

描述 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5ns, 86Pin Plastic SMT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

引脚数 - 86 86

电源电压(DC) 3.30 V, 3.45 V (max) - -

时钟频率 166MHz (max) - -

存取时间 6.00 ns - -

内存容量 64000000 B - -

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

供电电流 - 140 mA -

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

位数 - - 32

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

长度 - 22.42 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Design Unknown

包装方式 Tray Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅