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IDT71V3557S80PFGI、IDT71V3557S80PFI8、IDT71V547S80PFI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V3557S80PFGI IDT71V3557S80PFI8 IDT71V547S80PFI

描述 Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100IC SRAM 4.5Mbit 8NS 100TQFP128K X 36 , 3.3V同步SRAM与ZBT功能,突发计数器和流过输出 128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V -

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 3A991 3A991 3A991