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LM158N、LM258N、LM358N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM158N LM258N LM358N

描述 低功耗双运算放大器 LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  LM258N  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚STMICROELECTRONICS  LM358N  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

电源电压(DC) - - 5.00 V

工作电压 - - 3V ~ 32V

供电电流 700 µA 700 µA 700 µA

电路数 2 2 2

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 - - 500 mW

共模抑制比 - 70 dB 70 dB

带宽 - 1.1 MHz 1.1 MHz

转换速率 - 600 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

输入补偿电压 2 mV 1 mV 2 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) - 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 1.1 MHz 1.1 MHz

电源电压 - 3V ~ 30V 3V ~ 30V

电源电压(Max) - - 30 V

电源电压(Min) - - 3 V

共模抑制比(Min) - 70 dB -

长度 - - 9.27 mm

宽度 - - 6.35 mm

高度 - - 3.3 mm

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17