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BCW61FN、BSS65TC、BC860ALEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW61FN BSS65TC BC860ALEADFREE

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorSOT-23 PNP 12V 0.1ASmall Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Central Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 12 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

耗散功率 - 330 mW -

增益频宽积 - 400 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant