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1N6153US、JANTX1N6153US、JANS1N6153US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6153US JANTX1N6153US JANS1N6153US

描述 Transient Voltage SuppressorDiode TVS Single Bi-Dir 22.8V 1.5kW 2Pin G-MELFTrans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 C-MELF G-MELF -

钳位电压 - 41.6 V -

测试电流 - 40 mA -

脉冲峰值功率 - 1500 W -

击穿电压 - 27 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 C-MELF G-MELF -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant -

ECCN代码 - EAR99 -