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IR21814STR、IR21814STRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR21814STR IR21814STRPBF

描述 Driver 600V 2.3A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 14Pin SOIC N T/RP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14

电源电压(DC) 20.0V (max) -

上升/下降时间 40ns, 20ns 40ns, 20ns

输出接口数 2 2

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

耗散功率 - 1000 mw

下降时间(Max) - 35 ns

上升时间(Max) - 60 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW

封装 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free