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BLF175、RF-14、BLF175,112对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF175 RF-14 BLF175,112

描述 Trans MOSFET N-CH 125V 4A 4Pin SOT-123ARF Power Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, FM-4Trans RF MOSFET N-CH 125V 4A 4Pin SOT-123A Bulk

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) Advanced Semiconductor NXP (恩智浦)

分类 二极管晶体管

基础参数对比

引脚数 - - 4

封装 SOT-123 - SOT-123

频率 - - 108 MHz

额定电流 - - 4 A

耗散功率 - - 68 W

输出功率 - - 30 W

增益 - - 20 dB

测试电流 - - 30 mA

输出功率(Max) - - 30 W

耗散功率(Max) - - 68000 mW

封装 SOT-123 - SOT-123

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -