CY62256LL-55SNXI、CY62256NLL-55SNXE、CY62256NLL-55SNXET对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY62256LL-55SNXI CY62256NLL-55SNXE CY62256NLL-55SNXET

描述 256K （ 32K ×8 ）静态RAM 256K (32K x 8) Static RAMRAM 存储器，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器）CY62256N 系列 256 Kb (32 K x 8) 4.5 - 5.5 V 55 ns 静态RAM - SOIC-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

时钟频率 55.0 GHz 1 MHz -

位数 8 8 8

存取时间 55.0 ns 55 ns -

存取时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

内存容量 256000 B - -

长度 - 18.03 mm -

宽度 - 0.3 in -

高度 - 2.79 mm -

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99