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IS61LPD51236A-200B3、IS61LPD51236A-200B3I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LPD51236A-200B3 IS61LPD51236A-200B3I

描述 Cache SRAM, 512KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, PLASTIC, BGA-165静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 PBGA-165 FBGA-165

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) -

时钟频率 200MHz (max) -

存取时间 3.1 ns 3.1 ns

内存容量 18000000 B -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V -

封装 PBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free