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BZV85-C30、BZV85-C30,113、BZX85C30 SB00018/E1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C30 BZV85-C30,113 BZX85C30 SB00018/E1

描述 NXP  BZV85-C30  单管二极管 齐纳, 30 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  BZV85-C30,113  单管二极管 齐纳, 30 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚VISHAY BZX85C30 SB00018/E1 Zener Single Diode, 30V, 1.3W, DO-41, 5%, 2Pins, 175℃

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

针脚数 2 2 -

耗散功率 1 W 1 W 1.3 W

稳压值 30 V 30 V 30 V

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 175 ℃

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1V @50mA -

极性 - PNP -

测试电流 - 8 mA 8 mA

额定功率(Max) - 1.3 W -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active -

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 27.2 mV/K -