STH180N10F3-2、STU3N45K3、STP4N62K3对比区别

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型号 STH180N10F3-2 STU3N45K3 STP4N62K3

描述 N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP4N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 4 3 3

封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-220-3

漏源极电阻 0.0039 Ω 3.2 Ω 1.7 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 315 W 27 W 70 W

阈值电压 2 V 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 100 V 450 V 620 V

连续漏极电流(Ids) - 1.8A 3.8A

输入电容(Ciss) 6665pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 450pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 315W (Tc) 27W (Tc) 70W (Tc)

针脚数 4 - 3

输入电容 6665 pF - -

上升时间 97.1 ns - 9 ns

额定功率(Max) 315 W - 70 W

下降时间 6.9 ns - 19 ns

通道数 - - 1

长度 15.8 mm 6.6 mm 10.4 mm

宽度 10.4 mm 2.4 mm 4.6 mm

高度 4.8 mm 6.9 mm 15.75 mm

封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99