SI3456BDV-T1-E3、SI3456DDV-T1-GE3对比区别

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型号 SI3456BDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-GE3

描述 VISHAY  SI3456BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSSVISHAY  SI3456DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOP-6 TSOP-6

针脚数 6 6

漏源极电阻 35 mΩ 0.033 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 700 mW 1.7 W

阈值电压 3 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 15 ns 13 ns

下降时间 10 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

连续漏极电流(Ids) 6.00 A -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TSOP-6 TSOP-6

长度 3.1 mm -

高度 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99