STP9NK50Z、STW20NK50Z、FQP9N50C对比区别

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型号 STP9NK50Z STW20NK50Z FQP9N50C

描述 STMICROELECTRONICS  STP9NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 7.20 A 17.0 A 9.00 A

漏源极电阻 0.72 Ω 0.23 Ω 800 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 190 W 135 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.20 A 17.0 A 9.00 A

上升时间 20 ns 20 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 910pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 190 W 135 W

下降时间 22 ns 15 ns 64 ns

耗散功率(Max) 110W (Tc) 190W (Tc) 135W (Tc)

额定功率 110 W 190 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

输入电容 - 2600 pF -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

长度 10.4 mm 15.75 mm -

宽度 4.6 mm 5.15 mm -

高度 9.15 mm 20.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99