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DB104、DB104G、MB2S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DB104 DB104G MB2S

描述 BRIDGE RECTIFIERS 0.8 to 1.5AGENESIC SEMICONDUCTOR DB104G Bridge Rectifier Diode, Single, 400V, 1A, DIP, 1.1V, 4PinsBridge Rectifier Diode, Blank, 0.5A, 200V V(RRM)

数据手册 ---

制造商 RFE International GeneSiC Semiconductor Diotec Semiconductor

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 - EDIP-4 DIP

正向电压 - 1.1V @1A -

正向电流 - 1 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A 35 A

正向电压(Max) - 1.1 V -

正向电流(Max) - 1 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 0.5 A

反向恢复时间 - - 1500 ns

封装 - EDIP-4 DIP

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 8541100080 -