CY7C199C-12VXC、IS61C256AL-12JLI-TR、CY7C199D-10VXI对比区别

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型号 CY7C199C-12VXC IS61C256AL-12JLI-TR CY7C199D-10VXI

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 12ns 28Pin SOJRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C199D-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 并行口, 10NS, 32SOJ

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V

针脚数 - - 28

位数 8 8 8

存取时间 12.0 ns 12 ns 10 ns

内存容量 256000 B 256000 B 32000 B

存取时间(Max) 12 ns 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

供电电流 - 40 mA -

时钟频率 12.0 GHz - -

长度 - 18.54 mm 18.11 mm

宽度 - 7.75 mm 0.3 in

高度 - 2.67 mm 3.56 mm

封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99