FDS6675BZ、IRF9388TRPBF、FDS6675对比区别
型号 FDS6675BZ IRF9388TRPBF FDS6675
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6675BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 VINFINEON IRF9388TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.0085 ohm, -20 V, -1.8 V 新PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 1 1 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0108 Ω 0.0085 Ω 14 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 1.8 V -
输入电容 - 1680 pF 3.00 nF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 mA 12A 11.0 A
上升时间 7.8 ns 57 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 2470pF @15V(Vds) 1680pF @25V(Vds) 3000pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W 1 W
下降时间 60 ns 66 ns 100 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -11.0 A
栅电荷 - - 30.0 nC
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±20.0 V
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.39 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99