IXTH30N50L2、IXTT30N50L2、IXTH30N50L对比区别
型号 IXTH30N50L2 IXTT30N50L2 IXTH30N50L
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTH30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTT30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VTO-247 N-CH 500V 30A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 200 mΩ 0.2 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 400 W 400 W 400W (Tc)
阈值电压 2.5 V 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 117 ns - -
输入电容(Ciss) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds) 10200pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) - - 30A
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -