IXTH30N50L2、IXTT30N50L2、IXTH30N50L对比区别

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型号 IXTH30N50L2 IXTT30N50L2 IXTH30N50L

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXTT30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VTO-247 N-CH 500V 30A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 200 mΩ 0.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 400 W 400 W 400W (Tc)

阈值电压 2.5 V 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 117 ns - -

输入电容(Ciss) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds) 10200pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 500 V -

连续漏极电流(Ids) - - 30A

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -