IXFH36N50P、IXTQ30N50P、IXFH32N50对比区别
型号 IXFH36N50P IXTQ30N50P IXFH32N50
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) TO-3PIXYS SEMICONDUCTOR IXFH32N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 500 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 36.0 A 30.0 A 32.0 A
额定功率 - - 360 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.17 Ω - 150 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 540 W 460W (Tc) 360 W
阈值电压 5 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 30.0 A 32.0 A
上升时间 27 ns - 42 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 5700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 540 W - 360 W
下降时间 21 ns - 26 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 540W (Tc) 460W (Tc) 360W (Tc)
输入电容 5.50 nF 4.15 nF -
栅电荷 93.0 nC 70.0 nC -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 500 V - -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15