MTD9N10E、MTD9N10E1、NTD6416ANT4G对比区别

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型号 MTD9N10E MTD9N10E1 NTD6416ANT4G

描述 POWER MOSFET 9 AMPS ， 100伏 POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTSPOWER MOSFET 9 AMPS ， 100伏 POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTSON SEMICONDUCTOR  NTD6416ANT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.073 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK DPAK TO-252-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 9A 9A -

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.073 Ω

耗散功率 - - 71 W

阈值电压 - - 2 V

上升时间 - - 22 ns

输入电容(Ciss) - - 620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 71 W

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 71W (Tc)

封装 DPAK DPAK TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

RoHS标准 - - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20