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DS1330WP-100+、DS1330WP-150、DS1330WP-100-IND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1330WP-100+ DS1330WP-150 DS1330WP-100-IND

描述 3.3V 256K Nonvolatile SRAM with Battery MonitorNVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 34Pin PowerCap ModuleNon-Volatile SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS,

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Dallas Semiconductor (达拉斯半导体)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 PowerCap-34 PowerCap-34 -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 100 GHz 150 GHz -

存取时间 100 ns 150 ns -

内存容量 256000 B 256000 B -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

长度 23.5 mm 23.5 mm -

宽度 25.02 mm 25.02 mm -

高度 2.03 mm 2.03 mm -

封装 PowerCap-34 PowerCap-34 -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -