IXFP12N50P、IXTI12N50P、FQP13N50C对比区别

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型号 IXFP12N50P IXTI12N50P FQP13N50C

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3Pin(2+Tab) TO-263500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 12.0 A 12.0 A 13.0 A

耗散功率 200 W 200 W 195 W

输入电容 1.69 nF 1.69 nF -

栅电荷 29.0 nC 29.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 13.0 A

上升时间 - 27 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 1830pF @25V(Vds) 1830pF @25V(Vds) 2055pF @25V(Vds)

下降时间 - 20 ns 100 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 195W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.5 Ω - 480 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 5.5 V - -

漏源击穿电压 500 V - 500 V

额定功率(Max) 200 W - 195 W

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

长度 10.66 mm 10.29 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 9.65 mm 4.7 mm

高度 9.15 mm 4.83 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99