2N2906AUA、JANS2N2906AUA对比区别

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型号 2N2906AUA JANS2N2906AUA

描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 -

封装 SMD-4 -

极性 PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V -

集电极最大允许电流 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW -

封装 SMD-4 -

材质 Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -