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2N6798、JAN2N6798、JANTXV2N6798对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6798 JAN2N6798 JANTXV2N6798

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-205 TO-205 TO-205

耗散功率 25000 mW 800mW (Ta), 25W (Tc) 0.8 W

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)

封装 TO-205 TO-205 TO-205

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead